灯光也向入口处聚拢。
陈延森步伐不快，神色平静。
他穿着一身深灰色西装，没有任何夸张设计，连领带都极为素雅。
手腕上，戴着一块三十多万的百达翡丽腕表，跟他的身份极为不搭。
但这是宋允澄当初拿出三个月工资和奖金，给他买的礼物。
显然，陈老板也没有换表的想法。
见他踱步走来，第一排的手机厂商代表接连起身。
“陈总。”
“陈先生。”
“Boss。”
称呼各不相同。
陈延森微微颔首，逐一回应着众人的问候。
整个大厅里，所有人的目光都跟随着他的身影移动。
这个看上去只有二十多岁的男人，用了不到十年时间，就站在了全球科技行业的最顶端。
他走过的地方，所有人都会自发地起身。
这便是陈延森眼下的商界地位！
“金代表，你有没有发现，陈延森的长相似乎就没老过？我六年前见过他，当时他也是这副模样。”
SK海力士副总裁韩俊勋压低声音，冲一旁的山星电子高层金敏哲问道。
“是吗？可能是保养得比较好吧。”
金敏哲笑了笑，打了个哈哈。
他是山星的高层，而山星又是橙子医疗在高丽的最大药品经销商。
因此，他很清楚三星李家核心成员身上发生的变化。
那些人，一个个都年轻了十几岁，甚至几十岁不等。
他心里非常笃定，橙子医疗除了TLN-01衡端素，必然还有药效更好的抗衰老药物。
要不然，根本无法解释，山星上一代掌门人为什么会越活越年轻。
再参考北美中枢司的话事人乔纳德，很多问题便不言而喻了。
所以，在金敏哲看来，韩俊勋这种带着答案来提问的行为，多半是想套自己的话。
韩俊勋见金敏哲不接招，干笑一声，又把头转了回去。
下午一点整。
会展中心的灯光骤然熄灭。
大屏幕上，一张电子显微镜下的硅晶片图像缓缓旋转，密密麻麻的晶体管阵列井然有序地排列着。
“大家好，感谢各位远道而来，参加天工科技的新品发布会！”
一个年轻而沉稳的声音，在黑暗中响起。
灯光亮起！
聚光灯打在舞台中央，李道鸣从侧台走出。
他穿着简单的白衬衫和深色休闲裤，脚上是一双帆布鞋。
这一身，全是公司每个季度免费发放的福利。
他今年还不到三十岁，却已经是天工科技存储芯片事业部的资深主管工程师。
同时，他也是青云计划一期成员。
二十六岁时，他就在《森联科技前沿》上发表过十几篇关于新型存储芯片的论文。
他手里没有拿任何提词器或笔记本。
很明显，他准备全程脱稿。
在陈延森眼里，李道鸣可是他的第十四名一级员工。
在注射过月源一号化合物后，别说是发布会脱稿，就算让他一目十行地看材料，多读上几遍，也能记个八九不离十。
按照陈延森的预测，像李道鸣这种从小读书就“开挂”的人，精神力起码有2个点。
打药之后，保底都有4.5到5的水平。
只要给对方足够的成长空间，将来的成就将无法想象。
但月源一号化合物的产能是会持续增加的。
能否从一群开挂的人里杀出来，还得看个人机遇。
“下午好。”
“今天，我想以一名研发工程师的身份，向大家介绍，我们是如何用四年时间，把一个在实验室里看似疯狂的想法，变成今天的鲲鹏 V100芯片。”
李道鸣不紧不慢地说道。
他虽然年轻，却格外沉稳。
更重要的是，他还是鲲鹏 V100芯片的项目主导人。
台下，受邀而来的庐州科大校长眯着眼睛，满脸笑容。
他都已经想好了，等发布会一结束，但凡有记者采访他，他都要大声说上一句：“李道鸣是科大的优秀毕业生！”
大屏幕上的画面随之切换，出现了一张趋势图。
DRAM制程节点演进曲线，在10nm处几乎停滞，像一张遭遇心脏骤停的心电图。
“我刚加入天工科技的时候，老板问了我一个问题。”
李道鸣转身看向坐在第一排的陈延森。
后者微微点头，示意他继续。
“他说，道鸣，你觉得存储芯片还能继续进步吗？”
“我当时的回答是，不能。”
台下传来一阵窃窃私语。
“不是我悲观，而是物理学不允许。”
李道鸣说着，按下遥控器。
屏幕上出现了一个DRAM存储单元的剖面图。
“各位请看，这是传统DRAM的1T1C结构，一个晶体管加一个电容。”
“电容用来存储电荷，晶体管则用来控制读写。”
“看起来很简单，对吧？”
“但当制程推进到10nm以下，电容的物理尺寸已经小到无法存储足够的电荷。”
“这就像你用一个针眼大小的水桶去装水，水还没装满，就已经从边缘漏光了。”
“为了解决这个问题，山星、SK海力士和美光等内存大厂，将电容做成深沟槽结构。”
“可是沟槽越深，刻蚀就越难，良率也越低！”
他的语速平稳，却字字扎心。
这些都是行业痛点！
DRAM电容缩放逼近物理极限，3D NAND深宽比刻蚀良率告急。
所有人都陷入了EUV资本支出陷阱与多重曝光的成本墙中。
天工科技虽说拥有一定成本优势，但那也是因为星源科技提供了内部采购价。
他们能够以全球最低价买入破晓 A3X EUV光刻机，以及6N级氖气，但想大幅降低成本，也不是一件容易的事情。
“3D NAND也一样。”
“从64层堆到128层，深宽比已经超过了60:1。”
“这是什么概念？”
“相当于你要在一根头发丝粗细的管道里，钻出60倍深度的孔，还要保证孔壁光滑、垂直、不塌陷。”
“晶圆边缘的良率，已经低到不能看。”
李道鸣继续说道。
他顿了顿，轻笑一声：“这就是2018年存储行业的真相。”
“不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。”
“所以，老板又问了我第二个问题。”
李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。
“如果不存储电荷，我们还能存储什么？”
“答案是，存储原子的状态！”
说完，他往前迈了一步，掷地有声地说道：“我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案，转向阻变存储，也就是 ReRAM技术方案。”
“原理其实很简单，在两层金属电极之间，夹一层只有几纳米厚的金属氧化物。”
“施加电压，氧原子会移动，形成导电的丝状通道，电阻变低，这是1。”
“施加反向电压，通道断裂，电阻变高，这就是0。”
“不需要电容，不需要刷新，断电之后，数据也不会丢失。”
台下传来一阵惊叹声。
吴欣鸿低声对雷逸军说道：“这好像不是新技术啊！ReRAM几年前就有人研究了，小日子在这上面可没少花心思。”
雷逸军嗯了一声，小声回道：“问题是一直没人能量产，良率和一致性都是灾难。”
首先，ReRAM器件间和循环间的电阻状态并不稳定，容易导致写入噪声、位错误和高缺陷率。
这在大规模阵列生产中非常致命，很难保证高良率。
其次，耐久性和数据保持稳定性也较差。
说白了，就是不耐用。
最后，它的物理机制复杂，依赖导电细丝，不易精确控制，极易受到工艺、材料和噪声的影响。
除此之外，控制器、固件、接口和软件优化等，也都需要重新开发和验证。
而现有DRAM、NAND生态已经极为完善，替换成本极高。
这也是ReRAM长期无人问津的主要原因。
仿佛听到了台下众人心里的疑问，李道鸣接着说道：
“但ReRAM也有一个致命问题，那就是交叉阵列的漏电流。”
大屏幕上出现了一个交叉阵列示意图。
密密麻麻的横竖线交织在一起，某些节点被标成了红色。
“当你要读取某个存储单元时，电流并不会乖乖只走你选中的那条路。”
“它会从其他路径偷溜过去。”
“这叫 sneak-path。”
“就像你在迷宫里放水，水会从所有缝隙漏出去，而不是只流向出口。”
“之前的解决方案，是给每个存储单元加一个选择器。”
“就像给每条路装上一个单向阀门。”
“可是传统选择器，要么面积太大，要么一致性太差。”
说到这里，李道鸣的声音猛地加重了几分。
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